3D-RISM チュートリアル¶
分子などの溶質を密度汎関数理論(DFT)で、まわりの溶液を3D-RISMで扱い、両者を自己無撞着に解きます(3D-RISM-SCF)。例題 PW/examples/RISM_example の「水中のホルムアルデヒド(HCHO)」と「NaCl水溶液中のH2O」を計算し、溶媒の3次元分布と溶媒和自由エネルギーを見ていきます。溶液側の準備(1D-RISM)は1D-RISMチュートリアル、理論は3D-RISMを参照してください。
準備¶
1D-RISMの設定に加えて、溶質の各原子のLennard-Jones(LJ)パラメータと、3D-RISMの解き方を指定します。HCHOの例題の入力は次のとおりです。
&control
calculation = 'scf'
trism = .true.
/
&rism
nsolv = 1
closure = 'kh'
tempv = 300.0 ! Kelvin
ecutsolv = 144.0 ! Rydberg
! Lennard-Jones
solute_lj(1) = 'opls-aa'
solute_lj(2) = 'opls-aa'
solute_lj(3) = 'opls-aa'
/
ATOMIC_SPECIES
C -1.0 C.pbe-van_ak.UPF
O -1.0 O.pbe-van_ak.UPF
H -1.0 H.pbe-van_ak.UPF
CELL_PARAMETERS angstrom
10.00000 0.00000 0.00000
0.0000 10.00000 0.00000
0.0000 0.00000 10.00000
ATOMIC_POSITIONS {angstrom}
C 5.000 5.609 5.000
O 5.000 4.425 5.000
H 4.075 6.191 5.000
H 5.925 6.191 5.000
K_POINTS {gamma}
SOLVENTS {g/cm^3}
H2O 1.0 H2O.spc.MOL
solute_ljは溶質の原子種ごとのLJパラメータの出典を選びます(ここではOPLS-AA力場)。NaCl水溶液中のH2Oの例題のように、solute_epsilon(kcal/mol)とsolute_sigma(Å)で値を直接与えることもできます。- 3D-RISMは溶質と同じ周期的なセル(ここでは10 Åの立方体)の中で解きます。セルは、溶媒の分布が溶質の影響を受けなくなる程度に大きくとります。
ecutsolvは溶媒の相関関数を表すカットオフです。
例題は次のように実行できます。2つの計算はそれぞれ十数秒で終わります。
cd q-e/PW/examples/RISM_example
./run_example_3D-RISM
3D-RISM-SCFの流れ¶
SCFの各反復で、その時点の電子密度がつくる静電ポテンシャルのもとで3D-RISMを解き、得られた溶媒の電荷分布を次のKohn–Sham方程式に戻します。
3D-RISM Calculation
convergence threshold = 5.012E-03
iter. # 1 RMS(g-h-1)= 8.113E-01 nbox= 0
iter. # 11 RMS(g-h-1)= 2.247E-02 nbox= 10
iter. # 21 RMS(g-h-1)= 9.501E-03 nbox= 10
iter. # 25 RMS(g-h-1)= 4.317E-03 nbox= 10
End of 3D-RISM calculation
HCHOの例ではSCFが11回の反復で収束し、そのたびに3D-RISMが解かれています。3D-RISMの収束判定(convergence threshold)は、SCFが収束に近づくにつれて厳しくなります。SCFの初期に3D-RISMを必要以上に精密に解かないための工夫です。
溶媒の3次元分布¶
SCFの後に pprism.x を実行すると、溶媒の分布をCUBE形式で書き出せます。
&inputpp
prefix = 'HCHO.aq'
outdir = './tmp/'
lpunch = .true.
/
&plot
iflag = 3 ! 3D plot
output_format = 6 ! Gaussian's CUBE
/
pprism.x < HCHO.aq.post.in > HCHO.aq.post.out
溶媒の各サイトの数密度(HCHO.aq.3drism_rho#1_O.h2o.cube など)、溶媒の電荷密度、ポテンシャルのファイルができます。数密度をバルクの値で割ると、3次元の分布関数 \(g(\boldsymbol{r})\) になります。HCHOの分子面で切った断面を示します。
- 水のO(左):分子のまわり約3 Åは溶媒が入れない領域で、その外側を第1水和殻が取り囲んでいます。
- 水のH(右):HCHOの酸素(赤)の側に、水のHが強く集まっています(\(g>3\))。水がカルボニル酸素に水素結合している様子です。HCHOの水素の側では、Hはほとんど集まりません。
溶媒和自由エネルギー¶
出力の最後に、溶媒和の化学ポテンシャル(溶媒和自由エネルギー)が書かれます。この値は、全エネルギーの内訳の solvation energy (RISM) にも含まれています。
Chemical potential of solvation
H2O Closure 0.374101E+01 kcal/mol
GaussFluct 0.799804E+00 kcal/mol
Total Closure 0.374101E+01 kcal/mol
GaussFluct 0.799804E+00 kcal/mol
...
solvation energy (RISM) = 0.01193133 Ry
| 系 | 溶媒 | Closure(kcal/mol) | GaussFluct(kcal/mol) |
|---|---|---|---|
| HCHO | 水 | +3.74 | +0.80 |
| H2O | 0.5 M NaCl水溶液 | −4.24 | −6.25 |
NaCl水溶液中のH2Oでは、溶媒種ごとの内訳も出力されます(Closure:H2O −3.67、Na+ −1.35、Cl− +0.78 kcal/mol)。Closure と GaussFluct は、同じ分布から異なる近似式で評価した溶媒和自由エネルギーで、両者の値は一般に異なります。どちらを使うかは、比べたい量と系に応じて選びます。
次へ¶
3D-RISMは溶質と溶媒を同じ3次元周期セルで扱うため、電極表面のように片側だけが溶液に接する界面は表せません。電極/電解液界面は、ESM法とLaue表示のRISMを組み合わせたESM-RISMチュートリアルで扱います。